Samsung LSI şu anda Qualcomm'un Snapdragon 820'sini ikinci nesil 14nm LPP FinFET düğümünde üretiyor ve Güney Koreli şirket gelecek yılki 10nm Snapdragon 830 için de bir sözleşme imzalamış gibi görünüyor. Bu, SoC’nun Galaxy S8’de kullanılacağını belirten Kore’nin ET Haber’ine göre. Samsung, ABD versiyonlarının Snapdragon 830 tarafından desteklendiği Galaxy S7 ve S7 kenarı için takip ettiği aynı stratejiyi koruyacak, küresel versiyon ise yaklaşmakta olan Exynos 8895'i kullanacak.
Snapdragon 830 gibi, Samsung'un şirket içi Exynos 8895 de 10nm üretim sürecine dayanacak. ET News ayrıca Qualcomm ve Samsung'un, Snapdragon 830 ve Exynos 8895'te kullanılacak paket substratı için basılı bir devre kartına olan ihtiyacı ortadan kaldıran bir FoPLP (Fan-out Panel Seviye Paketi) teknolojisinin geliştirilmesinde çalıştığını da yazıyor.
Her iki SoC hakkında da fazla bir şey bilmiyoruz, ancak Samsung'un 10nm'ye yükselterek çok daha yüksek frekanslara gelmesini istiyor gibi görünüyor. Ağustos ayındaki bir Exynos 8895 sızıntısı, Samsung’un özel Mongoose çekirdeğinde 4 GHz’ye ulaştığını ve Cortex A53 çekirdeğinde 2.7GHz’ye ulaştığını gösteriyor. Qualcomm'un Kryo CPU uygulamasıyla elde ettiği performans kazanımlarını görmek ilginç olacak.
